非挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明系提高非挥发性半导体记忆装置之资料保持特性者。本发明系于包含电荷储存部之氮化矽膜SIN、位于其上下之包含氧化膜BOTOX、TOPOX之积层膜之ONO膜、其上部之记忆闸极电极MG、源极区域MS及汲极区域MD，藉由注入热载子施行写入或拭除之记忆单元中，使氮化矽膜SIN所含之N-H键与Si-H键之合计密度为5×10#sP!20#eP! cm#sP!-3#eP!以下。