相变化记忆体元件及其制造方法

摘要

一种相变化记忆体元件。第一介电层具有一侧壁。一下电极邻接第一介电层之侧壁，其中下电极包括一种晶层和一导电层。一第二介电层邻接下电极相对第一介电层之另一侧。一上电极，经由一相变化层耦接下电极。