多晶薄膜双极电晶体及其制法

摘要

本发明描述一种半导体装置及形成该装置之方法，其中该装置包含具有基极区、射极区及集极区之双极电晶体，其中该基极区包含由使与矽化物、锗化物或矽化物锗化物接触之矽、锗或矽锗结晶来形成之多晶半导体材料。射极区及集极区亦可包括由使与形成矽化物、锗化物或矽化物锗化物之金属接触之矽、锗或矽锗结晶来形成之多晶半导体材料。多晶半导体材料较佳为矽化多晶矽，其与C49相矽化钛接触而形成。