半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括提供一半导体基板，其上具有复数的闸极结构。形成一介电层于该半导体基板上。形成一图案化遮罩层于该介电层上。以该图案化遮罩层为一硬遮罩并蚀刻该介电层以形成复数个接触窗。形成一牺牲层于该图案化遮罩层上并填入该接触窗中。依序移除部份的该牺牲层及该图案化遮罩层，露出该介电层并与该接触窗的该牺牲层齐高。施以微影及蚀刻制程定义一导电沟槽对应该些接触窗。移除该些接触窗的牺牲层。依序沉积一阻障层及一金属导电层于该半导体基板上，以及施以一平坦化步骤，移除该介电层上的部分该金属导电层及该阻障层以形成一内连线结构。