接面场效动态随机存取记忆体胞元及内容可定址记忆体胞元

摘要

一种包括一动态随机存取记忆体(DRAM)胞元及一三元内容可定址记忆体(TCAM)胞元的半导体记忆体装置被揭露。该DRAM胞元可包括一资料储存部分及一资料读取部分。该资料储存部分及资料读取部分包含p-通道接面场效电晶体。该TCAM胞元包括一X-胞元、Y-胞元及比较电路。该X-胞元、Y-胞元及比较电路包含p-通道JFET。