发明名称 在基材上形成穿导孔之方法
摘要 本发明系关于一种在基材上形成穿导孔之方法,包括以下步骤:(a)提供一基材,该基材具有一第一表面及一第二表面;(b)形成一光阻层于该基材之第一表面上;(c)于该光阻层上形成一图案;(d)根据该图案于该基材上形成一沟槽及一柱体,该沟槽系围绕该柱体;(e)形成一聚合物(Polymer)于该基材之沟槽;(f)移除该基材之柱体,以形成一容置空间;(g)形成一导电金属于该容置空间内;及(h)去除部分该基材之第二表面,以显露该导电金属及该聚合物。藉此,可以在该沟槽内形成较厚之聚合物,而且该聚合物在该沟槽内并不会有厚度不均匀之问题。
申请公布号 TW200908169 申请公布日期 2009.02.16
申请号 TW096128418 申请日期 2007.08.02
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 王盟仁
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 蔡东贤;林志育
主权项
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号
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