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发明名称
半导体结构及其制造方法
摘要
本发明揭露一种半导体结构,该半导体结构包含一第一讯号层、一第二讯号层、一导线层以及至少一导孔。该导线层形成于该第一讯号层以及该第二讯号层之间,而导线层上之一第一端点以及一第二端点间系设置有一导线。至少一导孔系用以导通第一讯号层以及第二讯号层。其中,该至少一导孔系趋近于第一端点以及第二端点而设置。
申请公布号
TW200908259
申请公布日期
2009.02.16
申请号
TW096129150
申请日期
2007.08.08
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
黄志亿;吴志伟
分类号
H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
花瑞铭;金玉书
主权项
地址
高雄市楠梓加工区经三路26号
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