发明名称 半导体结构及其制造方法
摘要 本发明揭露一种半导体结构,该半导体结构包含一第一讯号层、一第二讯号层、一导线层以及至少一导孔。该导线层形成于该第一讯号层以及该第二讯号层之间,而导线层上之一第一端点以及一第二端点间系设置有一导线。至少一导孔系用以导通第一讯号层以及第二讯号层。其中,该至少一导孔系趋近于第一端点以及第二端点而设置。
申请公布号 TW200908259 申请公布日期 2009.02.16
申请号 TW096129150 申请日期 2007.08.08
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 黄志亿;吴志伟
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 花瑞铭;金玉书
主权项
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号