| 发明名称 |
烧结矽晶圆 |
| 摘要 |
一种烧结矽晶圆，其特征在于，以X光绕射所测得之(220)面之强度与(111)面之强度之比[I(220)/I(111)…(1)]在0.5以上、0.8以下，且(311)面之强度与(111)面之强度之比[I(311)/I(111)…(2)]在0.3以上、0.5以下。提供一种具有平滑表面，且保有与单结晶矽同等之表面粗糙度之烧结矽晶圆。 |
| 申请公布号 |
TW200907123 |
申请公布日期 |
2009.02.16 |
| 申请号 |
TW097126037 |
申请日期 |
2008.07.10 |
| 申请人 |
日金属股份有限公司 NIPPON MINING ＆ |
发明人 |
铃木了;高村博 |
| 分类号 |
C30B28/02(2006.01);C30B33/02(2006.01) |
主分类号 |
C30B28/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒;阎启泰 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
