| 摘要 |
本发明描述一种用于形成薄膜电晶体之方法，该薄膜电晶体之电流切换区域处于已与矽化钛、矽-锗化钛或锗化钛接触而结晶之复晶半导体材料中。矽化钛、矽-锗化钛或锗化钛形成为在最小维度上具有不大于0.25微米之特征大小。小的特征大小倾向于抑制自C49相至C54相矽化钛之相变。矽化钛之C49相具有与矽之非常紧密的晶格匹配，且因此在矽形成时向其提供结晶模板，从而允许大晶粒低瑕疵之矽的形成。钛不倾向于在结晶期间迁移穿过矽，从而限制金属污染之危险。在较佳实施例中，由此形成之电晶体可为(例如)场效电晶体或双极接面电晶体。 |
