| 发明名称 | 具有稳定的阈值修改材料的FET器件及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有稳定的阈值修改材料的FET器件及其方法。公开了一种用于制造FET器件的方法。所述FET器件具有栅极绝缘体和阈值修改材料，所述栅极绝缘体具有高k介质部分。所述方法将稳定材料引入到栅极绝缘体中以阻止一种或多种金属从所述阈值修改材料穿过所述栅极绝缘体的所述高k部分。引进所述稳定材料包括在包含所述一种或多种金属的氧化物的层上设置稳定剂。还将稳定材料并入到所述高k介质中。应用本方法会产生具有独特的栅极绝缘体结构的FET器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101364546A | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200810145597.3 | 申请日期 | 2008.08.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | M·W·科佩尔;王允愈;V·纳拉亚南;B·B·多里斯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种用于制造场效应晶体管(FET)的方法，其中所述FET包括栅极绝缘体，所述方法包括：在所述FET的所述栅极绝缘体内，其中所述栅极绝缘体包括高k部分，将稳定材料引入到所述栅极绝缘体中以阻止一种或多种金属穿过所述高k部分。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||