发明名称 |
一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺 |
摘要 |
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺,用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高靶材刻蚀均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性,提高了薄膜的沉积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量,提高薄膜质量,拓展了制备工艺参数的范围,为制备不同性能的薄膜提供条件。 |
申请公布号 |
CN101363114A |
申请公布日期 |
2009.02.11 |
申请号 |
CN200710158829.4 |
申请日期 |
2007.12.12 |
申请人 |
中国科学院金属研究所 |
发明人 |
肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杜昊;赵彦辉;闻立时 |
分类号 |
C23C14/32(2006.01);C23C14/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/32(2006.01) |
代理机构 |
沈阳科苑专利商标代理有限公司 |
代理人 |
张志伟 |
主权项 |
1.一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺,其特征在于:采用电弧离子镀沉积装置,电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。 |
地址 |
110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |