发明名称 一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺
摘要 本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺,用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高靶材刻蚀均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性,提高了薄膜的沉积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量,提高薄膜质量,拓展了制备工艺参数的范围,为制备不同性能的薄膜提供条件。
申请公布号 CN101363114A 申请公布日期 2009.02.11
申请号 CN200710158829.4 申请日期 2007.12.12
申请人 中国科学院金属研究所 发明人 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杜昊;赵彦辉;闻立时
分类号 C23C14/32(2006.01);C23C14/54(2006.01) 主分类号 C23C14/32(2006.01)
代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人 张志伟
主权项 1.一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺,其特征在于:采用电弧离子镀沉积装置,电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体进行沉积。
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