| 发明名称 | 在介电材料中形成开口的方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括在介电材料中形成开口的方法。在一个实施例中，穿过介电材料来部分蚀刻开口，其中所述开口包含所述介电材料的最低点和相对侧壁。所述开口内的所述相对侧壁的至少个别部分装衬有导电材料。在所述导电材料在所述开口内的所述个别部分上的情况下，深入至且穿过所述开口的所述介电材料的所述最低点进行等离子蚀刻，以使所述开口在所述介电材料内延伸得更深。本发明涵盖其他方面和实施方案。 | ||
| 申请公布号 | CN101366102A | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200680031928.X | 申请日期 | 2006.08.24 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 托马斯·M·格雷廷格;约翰·K·扎胡拉克;沙恩·J·特拉普;托马斯·阿瑟·菲古拉 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1.一种在介电材料中形成开口的方法，其包含：部分穿过介电材料蚀刻开口，所述开口包含所述介电材料的最低点和相对侧壁；用导电材料装衬所述开口内的所述相对侧壁的至少个别部分；以及在所述导电材料在所述开口内的所述个别部分上的情况下，深入到且穿过所述开口的所述介电材料的所述最低点进行等离子蚀刻，以使所述开口在所述介电材料内延伸得更深。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||