| 发明名称 | 带有密封环拐角结构的集成电路器件 | ||
| 摘要 | 一种用于集成电路器件的技术，该集成电路器件包括衬底、有源电路区域以及电介质层。密封环环绕有源电路区域。集成电路的至少一个拐角区域包括多个拐角条组。所述多个拐角条组的每个被定向在大约预定角度，并且从第一切片迹线向第二切片迹线延伸。在具体实施例中，如果在至少一个拐角区域中发生结构缺陷，则结构缺陷倾向于在大约所述预定角度上延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN100461408C | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200510030304.3 | 申请日期 | 2005.09.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 宁先捷 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王怡 |
| 主权项 | 1.一种集成电路器件，该器件包括：衬底；有源电路区域；覆盖在所述衬底上的电介质层；位于所述电介质层中的密封环，所述密封环作为保护边界环绕所述有源电路区域；以及所述密封环外的至少一个拐角区域，所述至少一个拐角区域包括多个拐角条组，所述多个拐角条组的每个被定向在预定角度并且从第一切片迹线向第二切片迹线延伸，其中，如果在至少一个拐角区域中发生结构缺陷，则所述结构缺陷沿着所述预定角度延伸。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||