静电放电的保护元件结构

摘要

本发明提供一种静电放电保护元件结构。该ESD保护元件结构设置于一基底上，且该ESD保护元件结构包括至少一第一导电类型金属氧化半导体(MOS)、至少一第二导电类型扩散区域、以及至少一虚置栅极。其中该第一导电类型MOS的漏极与源极分别电连接于一第一电源端以及一第二电源端，且该虚置栅极设于该第一导电类型MOS与该第二导电类型扩散区域之间。此外，该虚置栅极的栅极长度(gate length)小于该第一导电类型MOS的栅极的栅极长度，以使该第二导电类型扩散区域与该第一导电类型MOS的漏极的结具有一低击穿电压。

主权项

1.一种静电放电保护元件结构，该静电放电保护元件结构设置于一基底上，且该静电放电保护元件结构包括：至少一第一导电类型金属氧化半导体，且该第一导电类型MOS的漏极与源极则分别电连接于一第一电源端以及一第二电源端；至少一第二导电类型扩散区域；以及至少一虚置栅极，设于该第一导电类型MOS与该第二导电类型扩散区域之间，以使该第二导电类型扩散区域与该第一导电类型MOS的漏极的结具有一低击穿电压，当一ESD电压脉冲被施加于该第一电源端时，该ESD电压脉冲由该第一导电类型MOS的漏极通过该第一导电类型MOS的漏极与该第二导电类型扩散区域的结传导至该第二导电类型扩散区域，并经由该第二导电类型扩散区域传导至该第一导电类型MOS栅极下方的第二导电类型阱，最后再由该第一导电类型MOS的源极传至该第二电源端而快速释放该ESD电压脉冲。