用于将铜与金属－绝缘体－金属电容器结合的方法和结构

摘要

一种集成电路器件以及生产这种器件的方法。该器件具有一衬底，例如，硅。在衬底上形成绝缘层。铜金属层覆于该绝缘层上。该器件还具有覆于铜金属层上的刻蚀阻挡层和覆于刻蚀阻挡层上的介电材料夹层。该介电材料夹层具有一上表面。多个层间连接开口形成在介电材料夹层的一个区域内，其从上表面穿过刻蚀阻挡层到铜金属层。该器件在该多个层间连接开口的每一个中填有铜填充材料，以形成由上表面穿过刻蚀阻挡层延伸到铜金属层的多个铜结构。第一隔离金属层覆于多个铜结构的每一个之上，以形成电容器结构的第一电极。绝缘层覆于第一隔离金属层上，以形成电容器结构的绝缘层。该器件有覆于绝缘层上的第二隔离金属层，以形成电容器结构的第二电极。

主权项

1.一种集成电路器件，该器件包括：衬底；覆于所述衬底上的绝缘层；覆于所述绝缘层上的铜金属层；覆于所述铜金属层上的刻蚀阻挡层；覆于所述刻蚀阻挡层上的介电材料夹层，所述介电材料夹层包括一上表面；形成于所述介电材料夹层的一个区域内的、从所述上表面穿过所述刻蚀阻挡层到所述铜金属层的多个层间连接开口；在所述多个层间连接开口的每一个中的铜填充材料，用于形成从所述上表面穿过所述刻蚀阻挡层延伸到所述铜金属层的多个铜结构；覆于所述多个铜结构的每一个之上的第一隔离金属层，用于形成电容器结构的第一电极；覆于所述第一隔离金属层上的绝缘层，用于形成电容器结构的绝缘层；覆于所述绝缘层上的第二隔离金属层，用于形成第二电极。