发明名称 |
半导体激光器件 |
摘要 |
本发明涉及一种在不增加包层的厚度或Al含量的情况下具有充分的光限制效果的半导体激光器件。提供的半导体激光器件包括衬底、有源层、位于有源层和衬底之间的第一包层、位于有源层上的第二包层、以及包括金属波导层并且形成在第二包层上的第一电极层,该金属波导层由比第二包层的折射率小的金属制成,其中形成第一电极层作为波导工作,和第一电极层只包括作为接触层和波导工作的金属波导层。 |
申请公布号 |
CN100461562C |
申请公布日期 |
2009.02.11 |
申请号 |
CN200510065668.5 |
申请日期 |
2005.02.18 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
河镜虎;郭准燮;李成男;蔡程惠 |
分类号 |
H01S5/223(2006.01);H01S5/00(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/223(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种半导体激光器件,包括:衬底;有源层;位于所述衬底和所述有源层之间的第一包层;位于所述有源层上的第二包层;以及包括金属波导层并且形成在所述第二包层上的第一电极层,所述金属波导层由具有比第二包层更小折射率的金属制成,其中所述第一电极层被形成作为波导工作,和所述第一电极层只包括作为接触层和波导工作的所述金属波导层。 |
地址 |
韩国京畿道 |