| 发明名称 | 提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的方法及结构 | ||
| 摘要 | 一种提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成具有第一掺杂离子的第一掺杂层和具有第二掺杂离子的第二掺杂层；所述第一掺杂层位于所述第二掺杂层下方，且与所述第二掺杂层接触；对具有第一掺杂层和第二掺杂层的半导体衬底执行退火工艺；退火后，测量所述第二掺杂层的方块电阻。本发明还提供一种提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的结构。本发明的方法可减小衬底对测量结果的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101364553A | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200710044807.5 | 申请日期 | 2007.08.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种提高LDD掺杂层方块电阻的测量精度的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成具有第一掺杂离子的第一掺杂层和具有第二掺杂离子的第二掺杂层；所述第一掺杂层位于所述第二掺杂层下方，且与所述第二掺杂层接触；对具有第一掺杂层和第二掺杂层的半导体衬底执行退火工艺；退火后，测量所述第二掺杂层的方块电阻。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||