| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体结构，包括设置于半导体基板上的埋层，埋层为第一型掺杂。第一磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂。第二磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂；隔离结构设置于埋层上并设置于第一磊晶层与第二磊晶层之间，且该隔离结构为第一型掺杂。第一井区形成于第一磊晶层上，其为第二型掺杂；第二井区形成于第二磊晶层上，其为第二型掺杂；以及第三井区形成于隔离结构上并设置于第一井区与第二井区之间，且该第三井区为第一型掺杂。隔离结构与埋层及第三井区交界，以阻挡第一井区与第二井区的漏电流路径。 | ||
| 申请公布号 | CN100461455C | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200610019889.3 | 申请日期 | 2006.03.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李国廷;伍佑国;陈富信;姜安民 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;高龙鑫 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：埋层，设置于半导体基板上，该埋层为第一型掺杂；第一磊晶层，形成于该埋层上，该第一磊晶层为第二型掺杂；第二磊晶层，形成于该埋层上，该第二磊晶层为第二型掺杂；隔离结构设置于该埋层上，该隔离结构设置于该第一磊晶层与该第二磊晶层之间，且该隔离结构为第一型掺杂；第一井区形成于该第一磊晶层上，该第一井区为第二型掺杂；第二井区形成于该第二磊晶层上，该第二井区为第二型掺杂；以及第三井区形成于该隔离结构上，该第三井区设置于该第一井区与该第二井区之间，且该第三井区为第一型掺杂；其中该隔离结构与该埋层及该第三井区交界，以阻挡该第一井区与该第二井区的漏电流路径。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||