发明名称 |
闪存器件和操作该闪存器件的方法 |
摘要 |
公开了一种闪存器件。该闪存器件包括:存储单元阵列,其被配置成具有用于存储数据的存储单元,在存储单元的一部分中存储初始数据;页缓冲电路,其被配置成具有页缓冲器,所述页缓冲器用于提供要在存储单元中进行编程的数据或者从存储单元读取的数据;控制器,其被配置成控制页缓冲电路以使得当开始闪存器件的操作时读取存储在存储单元阵列中的初始数据、判别所读取的初始数据的错误并修正初始数据的错误;以及初始数据锁存电路,用于锁存控制器修正了错误的初始数据。 |
申请公布号 |
CN101364439A |
申请公布日期 |
2009.02.11 |
申请号 |
CN200810002314.X |
申请日期 |
2008.01.08 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
车载元;元参规;白侊虎 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01);G11C17/18(2006.01);G11C16/08(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
杨生平;杨红梅 |
主权项 |
1.一种闪存器件,包括:存储单元阵列,其具有用于存储数据的多个存储单元,所述存储单元的一部分被配置成存储初始数据;页缓冲电路,其具有多个页缓冲器,所述页缓冲器被配置成存储要在所述存储单元中进行编程的数据或者从所述存储单元读取的数据;控制器,其被配置成控制所述页缓冲电路以使得当所述闪存器件上电时读取存储在所述存储单元阵列中的所述初始数据、确定从所述存储单元阵列所读取的所述初始数据的错误并校正所述初始数据的错误;以及初始数据锁存电路,其被配置成锁存所述控制器校正错误之后的初始数据。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |