发明名称 液晶显示器的像素结构及其制造方法
摘要 本发明公开了一种像素结构的制造方法,其只使用五道光掩模即可完成液晶显示器的像素结构。在此像素结构中,在薄膜晶体管的底部形成金属遮光层以减少光电流的发生,以及利用金属导线增加存储电容器的存储电容量。
申请公布号 CN100461379C 申请公布日期 2009.02.11
申请号 CN200710088987.7 申请日期 2007.03.29
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 郑逸圣;赵志伟
分类号 H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);G02F1/1362(2006.01) 主分类号 H01L21/84(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波
主权项 1.一种像素结构的制造方法,适用于液晶显示器,该制造方法包括:依序形成第一金属层、第一介电层与硅层于基板上;图案化该第一金属层、该第一介电层与该硅层,以定义出由该第一金属层、该第一介电层与该硅层所构成的晶体管堆叠,以及分别定义出由该第一金属层所构成的数据线与第一电极;依序形成栅介电层与第二金属层于该基板、该晶体管堆叠、该数据线与该第一电极之上;图案化该第二金属层,以在该晶体管堆叠与该第一电极之上分别定义出栅极与第二电极;以该栅极为掺杂掩模,对该晶体管堆叠的该硅层进行重掺杂工艺,以在该硅层的两侧分别形成第一重掺杂区与第二重掺杂区;形成第二介电层于该栅介电层、该栅极与该第二电极之上;图案化该第二介电层,以形成第一开口、第二开口、第三开口与第四开口以分别暴露出该数据线、该第一重掺杂区、该第二重掺杂区与该第一电极;形成第三金属层,覆盖于该第二介电层之上;图案化该第三金属层以定义出第一导线与第二导线,其中该第一导线通过该第一开口与该第二开口电性连接该数据线与该第一重掺杂区,以及该第二导线通过该第三开口与该第四开口电性连接该第二重掺杂区与该第一电极,且该第二导线延伸至该第二电极之上以与该第一电极以及该第二电极构成存储电容器;形成透明导电层于该第二介电层、该第一导线与该第二导线之上;以及图案化该透明导电层,以定义出像素电极于该第二导线与该第二介电层上。
地址 中国台湾新竹市
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