Power semiconductor module and method for its manufacture

摘要

Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Modul besteht aus einem Substrat (300) mit hierauf schaltungsgerecht angeordneten Leiterbahnen (310) und auf diesen Leiterbahnen (310) angeordneten Leistungshalbleiterbauelementen (202, 204). Weiterhin sind auf den Leiterbahnen (310) Distanzelemente (206) angeordnete sowie ein Folienverbund (100) aus zwei metallischen Folienschichten (110, 130) mit einer dazwischen angeordneten elektrisch isolierenden Folienschicht (120). Der Folienverbund (100) Kontaktnoppen (140) und Durchkontaktierungen (122) auf. Mindestens eine der metallischen Folienschichten (110, 130) ist schaltungsgerecht strukturiert (112, 132), und dieser Folienverbund (100) ist mit den Leistungshalbleiterbauelementen (202, 204) und den Distanzelementen (206) mittels Ultraschallschweißen dauerhaft verbunden.