| 发明名称 | 制备硅质膜的方法以及带有由该方法制备的硅质膜的衬底 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种制备硅质膜的方法以及带有由该方法制备的硅质膜的衬底。该硅质膜的品质均匀，无关位置并无关在凹槽的内部还是外部，并且在凹槽内部无孔隙和裂纹。通过在具有凹凸的硅衬底表面上形成含氢量高的绝缘膜，然后在该衬底上涂覆含聚硅氮烷化合物的组合物，然后加热涂覆的衬底以将聚硅氮烷化合物转化成二氧化硅膜，可以制备带有硅质膜的衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101366103A | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200780001888.9 | 申请日期 | 2007.01.17 |
| 申请人 | AZ电子材料（日本）株式会社 | 发明人 | 石川智规;中熊映乃 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/76(2006.01);C23C16/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1.一种制备硅质膜的方法，包括：在具有凹凸的硅衬底表面上形成绝缘膜的绝缘膜形成步骤，该绝缘膜的含氢量不小于9×1020atms/cm3，由二级离子质谱法测量；在该衬底上涂覆含聚硅氮烷化合物的组合物的涂覆步骤；和加热涂覆的衬底以将该聚硅氮烷化合物转化成二氧化硅膜的固化步骤。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||