浸润式光刻的方法及其处理方法

摘要

本发明提供一种浸润式光刻的方法及其处理方法，包括：提供一光致抗蚀剂层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光致抗蚀剂层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤以中和在浸润式曝光过程中，一些不希望的元素扩散至光致抗蚀剂层所产生的效应；经过处理后，进行曝后烤及显影步骤。本发明所述浸润式光刻的方法及其处理方法，可在光致抗蚀剂上产生想要的图案并减少缺陷。

主权项

1.一种浸润式光刻的方法，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光致抗蚀剂层在一半导体基底上；使用一浸润式光刻曝光系统曝光该光致抗蚀剂层，该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用一液体；在曝光后及曝后烤前对该光致抗蚀剂层进行一处理步骤，用以中和从该液体扩散至该光致抗蚀剂层的一捕捉剂；曝后烤该光致抗蚀剂层；以及显影该曝光的光致抗蚀剂层。