| 发明名称 | 内部电压提供电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置的内部电压提供电路。该内部电压提供电路包括第一电压驱动器，用以响应于第一使能信号提供第一电压；第二电压驱动器，用以响应于第二使能信号提供第二电压；以及第一使能信号发生器，用以根据该半导体装置的电流驱动能力产生具有期望时间的使能周期的第一使能信号。当该半导体装置的电流驱动能力高于预定基准电流驱动能力时，将该使能周期设定成比预定基准周期短，和当该半导体装置的电流驱动能力低于基准电流驱动能力时，将该使能周期设定成比基准周期长。 | ||
| 申请公布号 | CN100461299C | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200510082156.X | 申请日期 | 2005.07.04 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 宋镐旭 |
| 分类号 | G11C11/407(2006.01);G11C7/00(2006.01);G11C5/14(2006.01);H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | G11C11/407(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体装置的内部电压提供电路，包括：第一电压驱动器，用以响应于第一使能信号提供第一电压；第二电压驱动器，用以响应于第二使能信号提供第二电压；以及第一使能信号发生器，用于根据该半导体装置的电流驱动能力产生具有期望时间的使能周期的第一使能信号，在将所述第一使能信号从其使能状态改变至禁止状态之后，使能所述第二使能信号，其中当该半导体装置的电流驱动能力高于预定基准电流驱动能力时，将该使能周期设定成比所述预定基准周期短，以及当该半导体装置的电流驱动能力低于该基准电流驱动能力时，将该使能周期设定成比该基准周期长。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||