| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供半导体衬底；在该衬底上形成高介电常数介电层；在该高介电常数介电层上形成富硅薄膜；对该富硅薄膜实施处理步骤，其中至少部分该富硅薄膜通过导入掺杂物而键合至该高介电常数介电层；以及在该富硅薄膜之上形成导电层。本发明能够减少费米能阶钉扎的数量，降低费米能阶钉扎效应，从而提升整体装置的操作效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101364540A | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200710193991.X | 申请日期 | 2007.11.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;姚亮吉 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在该衬底上形成高介电常数介电层；在该高介电常数介电层上形成富硅薄膜；对该富硅薄膜实施处理步骤，其中至少部分该富硅薄膜通过导入掺杂物而键合至该高介电常数介电层；以及在该富硅薄膜之上形成导电层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||