使用牺牲互连部分的芯片上的互连叠层冷却

摘要

本发明涉及一种集成电路器件和用于制造具有集成流体－冷却槽的集成电路器件的方法。该方法包括在电互连部分的期望侧向位置处和在流体冷却槽部件的期望侧向位置处，在介电层序列中形成凹陷。金属填充物被淀积在介电层序列的凹陷中，以在流体冷却槽部分中形成电互连部分和牺牲填充物。然后，该牺牲金属填充物从流体冷却槽部件选择性地被去除。

主权项

1.一种具有集成的流体冷却槽的集成电路器件(10，200，300)，包括具有集成电路(322)的基片(102，202)；在基片上的互连叠层(104，204，306)，该互连叠层具有在一个或多个互连级(310，312，314)上的电互连部分，并包括介电层序列，该介电层序列具有：在各相关的互连级上的各级内介电层(317，319，321)，该介电层使相关互连级上的不同互连部分彼此电隔离；其中：互连叠层包括流体冷却槽(114，214，352)，所述流体冷却槽(114，214，352)在互连叠层的至少一个互连级内延伸，并且所述流体冷却槽在各相关的级内介电层内被引导，并且在一个以上的互连级延伸的情况下，所述流体冷却槽经过各级间金属化阻挡层被引导。