发明名称 单片LNA支持IC
摘要 一种低噪声放大器(LNA),包括:多个FET(F1,F2,F3,F4),被布置为处理放大器所接收的信号;电源输入端(10),被布置为用以操作LNA的电能;以及单片支持集成电路(IC)。单片支持IC包括:FET控制电路(2),被布置为监视并控制每个FET的漏极电流;FET选择电路(3,24,22),被布置为检测提供至电源输入端的电压信号的DC分量的电平,并根据所检测的DC电平向FET控制电路(2)提供FET选择信号。
申请公布号 CN101366172A 申请公布日期 2009.02.11
申请号 CN200680050075.4 申请日期 2006.10.30
申请人 赛特克斯半导体公司 发明人 戴维·布莱德博瑞
分类号 H03F1/26(2006.01);H03F1/02(2006.01);H03F1/30(2006.01);H03F3/347(2006.01);H03F1/52(2006.01) 主分类号 H03F1/26(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 王波波
主权项 1、一种低噪声放大器(LNA),包括:多个FET,被布置为处理由放大器接收的信号;电源输入端,被布置为接收用以操作LNA的电能;以及单片支持集成电路(IC),其中,所述单片支持IC包括:FET控制电路,被布置为监视并控制每个FET的漏极电流;FET选择电路,被布置为检测提供至电源输入端的电压信号的DC分量的电平,并根据所检测的DC电平给所述FET控制电路提供FET选择信号,所述FET控制电路响应于所述FET选择信号而禁用所选的多个FET中的两个FET的其中之一;电压调节电路,连接至电源输入端,并适于根据到所述电源输入端的电压信号产生调节后的输出电压;以及负电源发生器电路,连接以接收调节后的输出电压,并被布置为根据调节后的输出电压产生负电源电压,并将所述负电源电压提供给FET控制电路,将所述FET控制电路布置为使用所述负电源电压来给FET提供负栅极驱动电压。
地址 英国奥尔德姆