高压金属氧化物半导体元件

摘要

本发明提供一种高压金属氧化物半导体元件结构，包括一衬底；一第一离子井，设于该衬底中；一第一场氧化层，包围一漏极区域；一第二场氧化层，包围一源极区域，该第一场氧化层与该第二场氧化层之间为该高压金属氧化物半导体元件的一沟道区域；一栅极氧化层，设于该沟道区域上；一栅极，设于该栅极氧化层上；一第三场氧化层，设于该半导体衬底上，包围该第一场氧化层以及该第二场氧化层，且该第三场氧化层与该第一场氧化层、该第二场氧化层之间是一元件隔离区域；以及一元件隔离掺杂区，设于该元件隔离区域内。

主权项

1.一种制作高压金属氧化物半导体元件的方法，包括：提供一半导体衬底，其上形成有一第一离子井，且该第一离子井具有一第一导电性；于该半导体衬底上形成一垫氧化层；于该垫氧化层上形成一氮化硅层；蚀刻掉部分该氮化硅层，使剩下的该氮化硅层构成一有源区域掩模。其覆盖住该高压金属氧化物半导体元件的一沟道区域、一漏极区域、一源极区域以及一元件隔离区域；进行一场氧化工艺，在未被该有源区域掩模覆盖住的该半导体衬底上长出一第一场氧化层、一第二场氧化层以及第三场氧化层，其中该第一场氧化层包围该漏极区域，该第二场氧化层包围该源极区域；去除该有源区域掩模；去除该垫氧化层；于该沟道区域长出一栅极氧化层；于该栅极氧化层上形成一栅极；进行一第一离子注入工艺，同时于该漏极区域以及该源极区域内形成一具有一第二导电性的漏极/源极掺杂区；以及进行一第二离子注入工艺，于该元件隔离区域内形成一具有该第一导电性的元件隔离掺杂区。