| 发明名称 | 存储器元件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种存储器元件及其形成方法，其具有高侦测速度与可靠度。所述元件包括：第一介电层及第二介电层依序形成于半导体基板上；电容位于第二介电层中，且具有至少部分填满第三介电层的杯状区域。上述元件可更包括第三介电层及位线依序形成于第二介电层上，且位线电性连接至电容。较佳情况下，该电容的杯状区域包含大尺寸孔洞。本发明所述的存储器元件及其形成方法可改善DRAM元件的可靠度和速度。 | ||
| 申请公布号 | CN100461423C | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200610152330.8 | 申请日期 | 2006.09.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 涂国基;陈椿瑶;林宜经 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种存储器元件，其特征在于，所述存储器元件包括：一半导体基板；一介电层，位于该半导体基板上，且具有一第一介电常数；一电容，位于该介电层中，且具有一内部区域，该内部区域含有一孔洞；一额外介电层，位于该电容上，且具有一第二介电常数，其中该额外介电层包括一低介电常数材料；以及一导线，位于该额外介电层上，且电性连接至该电容的一顶电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||