| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括可以在金属接触线(M1C)工艺中防止接触金属之间的桥接的漏极接触件。该方法包括：在各个栅电极之间的间隔中形成贯穿层间介电膜的接触孔以暴露下部凹陷区，使用感光材料填充接触孔和下部凹陷区，从接触孔中去除感光材料以及然后在接触孔中形成漏极接触件。 | ||
| 申请公布号 | CN101364571A | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200810133391.9 | 申请日期 | 2008.08.11 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 全幸林 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张英 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在包括多个栅电极的衬底上方顺序地沉积第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜；通过在所述第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜上实施第一蚀刻工艺来在所述栅电极的侧壁上形成隔离件；使所述第二氧化膜遭受第二蚀刻工艺；在包括所述隔离件的所述衬底的整个表面上方形成层间介电膜；在所述栅电极之间的间隔中形成接触孔；将感光材料嵌入所述接触孔中；从所述接触孔中去除所述感光材料的一部分；以及然后将金属材料嵌入所述接触孔中。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||