一种纳米级相变存储单元阵列制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺，又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密度相变存储器制备领域具有实质性特点。

主权项

1.一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，其特征在于结构设计和一次性成型：(1)首先设计“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，并将该多阶凹孔阵列按照凹凸相反的规则对应定义在透明的固态面板上，在固态面板上形成“塔”型多阶凸台阵列；(2)然后在沉积有绝缘材料、金属材料、过渡材料、绝缘材料，涂覆有图形转移介质的多层膜基底表面，通过印刻法将固态面板上的多阶凸台阵列一次性定义在图形转移介质层上形成“倒塔”型多阶凹孔阵列；接着通过刻蚀将该多阶凹孔阵列再转移到绝缘材料层上，在绝缘材料层上一次性制作出纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，并且可以重复使用多次成型；(3)最后通过多层膜沉积工艺给绝缘材料层上的多阶凹孔依次填充一定厚度的相变材料、过渡材料、金属材料，从而得到所需的纳米级相变存储单元阵列。