生产半导体器件的方法以及采用这种方法获得的半导体器件

摘要

本发明涉及一种制造包括场效应晶体管的半导体器件(10)的方法，在该方法中，在具有衬底(11)的硅半导体主体(12)的表面上对其提供了第一导电类型的源极区域(1)和漏极区域(2)，源极区域(1)和漏极区域(2)位于掩埋隔离区域(3，4)上；以及在源极和漏极区域(1，2)之间提供了与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区域(5)；还提供了通过栅极电介质(7)与半导体主体(12)分离并位于沟道区域(5)上的栅极区域(6)，以及其中，在其中形成了沟道区域(5)的半导体主体(12)中形成台面(M)，以及其中，在利用外延生长形成的半导体区域(8)中的台面(M)的两侧上形成源极和漏极区域(1，2)，源极和漏极区域(1，2)从而接触沟道区域(5)。根据本发明，形成了在基本上半导体区域的整个厚度上与台面(M)接触的半导体区域(8)，并且该半导体区域(8)是在栅极电介质(7)的水平面下形成的。这种方法更加通用，这样获得的器件具有改善的高频性能。

主权项

1.一种制造包括场效应晶体管的半导体器件的方法，在该方法中，在具有衬底(11)的硅半导体主体(12)的表面上对其提供了第一导电类型的源极区域(1)和漏极区域(2)，所述区域位于掩埋隔离区域(3，4)上；以及提供了在源极和漏极区域(1，2)之间的与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区域(5)；还提供了通过栅极电介质(7)与半导体主体(12)的表面分隔并位于沟道区域(5)上的栅极区域(6)，以及其中，在其中形成了沟道区域(5)的半导体主体(12)中形成台面(M)，以及其中，在利用外延生长形成的半导体区域(8)中的台面(M)的两个侧面上形成源极和漏极区域(1，2)，源极和漏极区域(1，2)从而接触沟道区域(5)，该方法的特征在于形成了在基本上半导体区域(8)的整个厚度上与台面接触的半导体区域(8)，并且所述半导体区域(8)被形成在栅极电介质(7)的水平面下。