硅上液晶器件及其制造方法

摘要

一种制造硅上液晶显示器件(LCOS)的方法。所述方法包括提供一个半导体衬底，例如硅晶圆，形成一个覆盖在所述衬底之上的晶体管层，具有复数个MOS器件。形成一个中间电介质层覆盖在晶体管层上。平坦化中间电介质层，并形成一个牺牲层覆盖在平坦化的中间电介质层上。穿过所述牺牲层在所述中间电介质层的一部分的内部形成复数个凹陷区域，而中间电介质层的其它部分保持完整。优选地使用图形曝光技术来形成所述凹陷区域。形成一个铝层(或其它反射层或多层)来填充所述凹陷区域并覆盖牺牲层的剩余部分，并有选择地去除覆盖在牺牲层的多个部分之上的铝层，进而形成对应于每个所述凹陷区域的复数个电极区域。

主权项

1.一种制造硅上液晶显示器件(LCOS)的方法，所述方法包括：提供一个衬底；形成一个覆盖在所述衬底之上的晶体管层；形成一个中间电介质层覆盖在所述晶体管层上；平坦化所述中间电介质层；形成一个牺牲层覆盖在所述平坦化的中间电介质层上；穿过所述牺牲层在所述中间电介质层的一部分的内部形成复数个凹陷区域，而所述中间电介质层的其它部分保持完整；形成一个铝层来填充所述凹陷区域并覆盖所述牺牲层的剩余部分；有选择地去除覆盖在所述牺牲层的多个部分之上的所述铝层，进而形成对应于每个所述凹陷区域的复数个电极区域。