半导体元件及形成半导体元件的方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及形成半导体元件的方法，所述半导体元件包含有栅极、间隙壁、缓冲层、源极/漏极区域。栅极包括有栅极电极及栅极介电层，且栅极介电层位于上述栅极电极之下。间隙壁形成栅极电极及栅极介电层的侧壁。缓冲层位于一半导体基底上，上述缓冲层具有一第二部分于栅极介电层及间隙壁之下，并具有一第一部分与间隙壁相邻，其中位于第一部分的缓冲层的上表面较位于第二部分的缓冲层的上表面凹陷。源极/漏极区域大致与间隙壁对齐。缓冲层的晶格常数大于位于其下的基底的晶格常数。上述半导体元件更包括有一半导体覆盖层，位于缓冲层及栅极介电层之间，其中半导体覆盖层的晶格常数小于缓冲层的晶格常数。

主权项

1.一种半导体元件，其特征在于，所述半导体元件包括：一栅极，包括一栅极电极及一栅极介电层，上述栅极介电层位于上述栅极电极之下；一间隙壁，形成于上述栅极电极及上述栅极介电层的侧壁；以及一缓冲层，位于一半导体基底上，上述缓冲层具有一第一部分和较第一部分厚的第二部分于上述栅极介电层及上述间隙壁之下，其中位于上述缓冲层的第一部分的上表面较位于上述缓冲层的第二部分的上表面凹陷，并构成一凹部；一源极/漏极区域，大致与上述间隙壁对齐。