发明名称 Multi-port memory devices
摘要 A semiconductor storage device, comprising: a first port to write data to a storage element; and a second port to read a signal generated by the storage element, wherein reading the generated signal protects data stored at the storage element from a read condition disturbance.
申请公布号 US7489164(B2) 申请公布日期 2009.02.10
申请号 US20070986025 申请日期 2007.11.19
申请人 MADURAWE RAMINDA UDAYA 发明人 MADURAWE RAMINDA UDAYA
分类号 G06F7/38;H03K19/177 主分类号 G06F7/38
代理机构 代理人
主权项
地址