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Ein Verfahren zur Herstellung eines Flash-Speicherbauelementes, das das Ausbilden eines dielektrischen Schicht-Musters auf einem Halbleitersubstrat; Ätzen des Halbleitersubstrates unter Verwendung des dielektrischen Schicht-Musters als Maske zum Ausbilden eines Grabens; Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht auf dem Halbleitersubstrat, das den Graben enthält; Durchführen eines Nass-Ätz-Prozesses auf dem Halbleitersubstrat, das mit der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet ist; Ausbilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf dem Halbleitersubstrat; Durchführen eines Planarisierungs-Prozesses auf der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht; und Entfernen des dielektrischen Schicht-Musters umfassen kann. Daher kann eine Erzeugung von Fehlerstellen, wenn eine Bauelemente-Isolations-Schicht ausgebildet wird, und auch wenn eine Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht ausgebildet wird, verhindert werden.
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