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Eine mögliche Ausführungsform ist ein Verfahren zum Ausbilden einer Struktur auf einem Halbleitersubstrat, mit folgenden Schritten: Ausbilden mindestens einer ersten Maskenschicht und mindestens einer zweiten Maskenschicht, wobei die erste Maskenschicht mindestens teilweise die zweite Maskenschicht bedeckt, Ändern einer Materialeigenschaft in Regionen der ersten Maskenschicht und Ändern einer Materialeigenschaft in Regionen der zweiten Maskenschicht, dergestalt, dass jede Maskenschicht einen Satz Materialeigenschaftszustände aufweist, welche die Regionen der jeweiligen Maskenschicht durch binäre Variablen darstellen, mindestens teilweises Entfernen der ersten Maskenschicht und der zweiten Maskenschicht in Abhängigkeit von den Materialeigenschaftszuständen in den Maskenschichten, Strukturieren des Substrats in Abhängigkeit von den Materialeigenschaftszuständen der ersten und der zweiten Maskenschicht, wobei die Materialeigenschaftszustände durch eine logische Verknüpfung bestimmt werden, wobei mindestens anhand einer der Booleschen Operatoren XOR, NAND und NOR oder eines umgekehrten Booleschen Operators davon auf der Basis der jeweiligen binären Variablen in den Sätzen der Materialeigenschaftszustände operiert wird. Andere Ausführungsformen beziehen sich auf Bauelemente und Zwischenstrukturen.
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