| 发明名称 |
Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement unter Benutzung eines Dummy-Gates |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE60132748(T2) |
申请公布日期 |
2009.02.05 |
| 申请号 |
DE20016032748T |
申请日期 |
2001.11.14 |
| 申请人 |
SHARP K.K. |
发明人 |
TOKUSHIGE, NOBUAKI;KANEKO, SEIJI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/60;H01L21/768;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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