| 发明名称 | 一种第一层金属的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种第一层金属的制作方法，该第一层金属制作在已制成接触孔的半导体器件上，且其从下至上依次包括一粘附层和一扩散阻挡层。现有技术在制作第一层金属时在去除自然氧化层后并未进行热处理，而使水蒸气残留形成气泡状缺陷。本发明的方法先去除自然氧化层；然后进行热处理，其中，该热处理的温度范围为350到680摄氏度，时间范围为30到60秒；接着制作粘附层；最后制作扩散阻挡层。本发明的方法可将去除自然氧化层后所残留的水蒸气彻底去除，从而可避免第一层金属上出现气泡状缺陷，并可大大提高第一层金属的牢固性。 | ||
| 申请公布号 | CN101359617A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200710044550.3 | 申请日期 | 2007.08.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王学娟;刘杰;周文磊;何萍 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1、一种第一层金属的制作方法，该第一层金属制作在已制成接触孔的半导体器件上，且其从下至上依次包括一粘附层和一扩散阻挡层，该制作方法包括以下步骤：(1)去除自然氧化层；(2)制作粘附层；(3)制作扩散阻挡层；其特征在于，该方法在步骤(1)与步骤(2)间还进行热处理步骤，其中，该热处理的温度范围为350到680摄氏度，时间范围为30到60秒。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||