发明名称 具有硅氧烷聚合物界面的有机薄膜晶体管及其制造方法
摘要 提供一种有机薄膜晶体管,它包括置于栅极电介体和有机半导体层之间的硅氧烷聚合物层。还提供含薄膜晶体管的集成电路以及薄膜晶体管的制造方法。本发明有机薄膜晶体管在一个或多个晶体管性能方面有所改进。
申请公布号 CN100459206C 申请公布日期 2009.02.04
申请号 CN02822190.7 申请日期 2002.10.23
申请人 3M创新有限公司 发明人 T·W·凯利;L·D·博德曼;T·D·迪巴;T·D·琼斯;D·V·穆雅斯;M·J·佩莱里特;T·R·史密斯
分类号 H01L51/05(2006.01);H01L51/30(2006.01);H01L51/10(2006.01) 主分类号 H01L51/05(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 朱黎明
主权项 1.一种有机薄膜晶体管,它包括无氟的聚合物层,该聚合物层的厚度小于400埃,穿插在栅极电介体和有机半导体层之间,所述聚合物层包括具有下式共聚合单元的聚合物:<img file="C028221900002C1.GIF" wi="1004" he="257" />其中,各个R分别是选自氢、C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>脂族基团、C<sub>4</sub>-C<sub>20</sub>脂环基团、芳烷基或芳基及其组合的基团。
地址 美国明尼苏达州