| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有形成在其中的电路元件的半导体衬底和在所述半导体衬底上形成的绝缘保护膜。羟基(OH)被连接到所述保护膜的表面。结果使得所述保护膜的表面与水滴之间的接触角小于或等于40度。 | ||
| 申请公布号 | CN100459107C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200610162232.2 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 金田哲弥;梅川真一;寺田浩二;高桥泰 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L21/3105(2006.01) | 主分类号 | H01L23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：具有形成在其中的电路元件的半导体衬底；和形成在所述半导体衬底上的绝缘保护膜，其中，所述绝缘保护膜的表面能够暴露于空气中的水分子，其中，所述绝缘保护膜的所述表面与水滴之间的接触角小于或等于40度。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||