| 发明名称 | 包含有机半导体配方的电子短沟道器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种改进的电子器件，像有机场效应晶体管(OFET)，其具有短的源至漏的沟道长度且含有包含半导体粘合剂的有机半导体配方。 | ||
| 申请公布号 | CN101361205A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200680051140.5 | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | 默克专利股份有限公司 | 发明人 | S·D·奥吉尔;J·韦赖什;M·蔡丹 |
| 分类号 | H01L51/10(2006.01) | 主分类号 | H01L51/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 1.包含栅电极、源电极和漏电极的电子部件或器件，其中所述的源和漏电极通过特定距离(“沟道长度”)分离，所述的部件或器件进一步包含被提供在源和漏电极之间且包含一种或多种OSC化合物和有机粘合剂的有机半导体(OSC)材料，其特征在于沟道长度≤50微米且所述的粘合剂为半导体粘合剂。 | ||
| 地址 | 德国达姆施塔特 | ||