一种用于射频电子标签的浮栅结构阈值可调的整流电路

摘要

本发明属集成电路设计技术领域，具体为一种用于射频电子标签的浮栅结构阈值可调的整流电路。它由电容、标准CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管组成。通过对浮栅电压进行提升或降低从而达到电路中晶体管的阈值调整，提高射频整流电路的整流效率。利用本发明可以动态调整射频整流电路的整流效率，从而优化射频电子标签的通讯距离。

主权项

1、一种用于射频电子标签的浮栅结构阈值可调的整流电路，其特征在于包括两个NMOS整流管MN1和MN2，两个PMOS整流管MP1和MP2，四个浮栅电容Ctun1、Ctun2、Ctun3和Ctun4，四个隔直电容Cp1、Cp2、Cp3和Cp4，射频信号输入端为VP+及VP-，整流管阈值调节输入端为Vnmos和Vpmos；所述整流电路的低直流电平输入端为VL，高直流电平输出端为VH；NMOS整流管MN1源端接VP-，漏端接VL，栅极通过浮栅电容Ctun1和Vnmos相联，同时还通过隔直电容Cp1和VP+相联；NMOS整流管MN2源端接VP+，漏端接VL，栅极通过浮栅电容Ctun2和Vnmos相联，同时还通过隔直电容Cp2和VP-相联；PMOS整流管MP1源端接VP-，漏端接VH，栅极通过浮栅电容Ctun4和Vpmos相联，同时还通过隔直电容Cp4和VP+相联；PMOS整流管MP2源端接VP+，漏端接VH，栅极通过浮栅电容Ctun3和Vpmos相联，同时还通过隔直电容Cp3和VP-相联。