半导体装置中的电容器的下电极的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体装置中的电容器的下电极的制造方法。该方法包含下列步骤：穿过一层间绝缘层形成电连接至基板的多个插塞；在层间绝缘层和插塞上，形成导电蚀刻停止层；在导电蚀刻停止层上，形成牺牲绝缘层；在牺牲绝缘层上，形成岛型光阻剂图案，使得光阻剂图案掩盖牺牲绝缘层与插塞位置对应的区域并打开所述牺牲绝缘层的其它区域；使用光阻剂图案作为蚀刻掩膜，蚀刻牺牲绝缘层的其它区域，以曝露所述导电蚀刻停止层的预定部分；移除导电蚀刻停止层的曝露部分；移除光阻剂图案；在牺牲绝缘层、层间绝缘层和导电蚀刻停止层的剩余部分上，形成导电层；平面化导电层，直到牺牲绝缘层曝露出来；移除牺牲绝缘层；以及通过移除导电层位于层间绝缘层上的部分，形成下电极。

主权项

1.一种半导体装置中的电容器的下电极的制造方法，包含下列步骤：穿过一层间绝缘层形成电连接至基板的多个插塞；在所述层间绝缘层和所述插塞上，形成导电蚀刻停止层；在所述导电蚀刻停止层上，形成牺牲绝缘层；在所述牺牲绝缘层上，形成岛型光阻剂图案，所述光阻剂图案掩盖所述牺牲绝缘层与所述插塞位置对应的区域并打开所述牺牲绝缘层的其它区域；使用光阻剂图案作为蚀刻掩膜，蚀刻所述牺牲绝缘层的其它区域，以曝露所述导电蚀刻停止层的预定部分；移除所述导电蚀刻停止层的曝露部分；移除光阻剂图案；在所述牺牲绝缘层、所述层间绝缘层和所述导电蚀刻停止层的剩余部分上，形成导电层；平面化导电层，直到所述牺牲绝缘层曝露出来；移除牺牲绝缘层；以及通过移除导电层位于所述层间绝缘层上的部分，形成下电极。