| 发明名称 | 薄膜体声谐振器(FBAR)的频率调谐 | ||
| 摘要 | 可在单晶圆上制造多个FBAR，以后再进行切割。理想情况下，在晶圆中形成的所有器件具有相同的谐振频率。然而，由于制造偏差，FBAR器件的频率响应在晶圆上可能略微改变。可产生RF分布图以便确定晶圆上的区域(50，52)，其中那个区域中的FBAR全都与目标频率相差相似的程度。可将调谐层(40)沉积在晶圆之上。基于RF分布图所标识的区域对调谐层光刻形成图案的特征可用于将FBAR校正到目标谐振频率，而FBAR在晶圆上仍保持原样。 | ||
| 申请公布号 | CN101361266A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200680047721.1 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | V·R·劳;T·G·多罗斯;Q·马;K·塞尚;L·－P·王 |
| 分类号 | H03H3/04(2006.01);H03H9/58(2006.01);H03H9/17(2006.01);H03H9/02(2006.01) | 主分类号 | H03H3/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 柯广华;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：晶圆；多个器件，各具有与其关联的谐振频率，制造在所述晶圆上；调谐层，在所述多个器件上面；与所述调谐层关联的多个区域，其中各个区域包括不同的调谐层图案特征，以便将所述多个器件调谐到目标谐振频率。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||