| 发明名称 | 烧结熔融氧化硅制备含有结晶SiO<SUB>2</SUB>的成型体 | ||
| 摘要 | 为了简单且快速制备含有熔融氧化硅的成型体，以及即使在高温下熔体与成型体接触也基本上不会导致熔体污染的成型体，本发明提供一种方法和含有至少99.0mol％SiO<SUB>2</SUB>的成型体，该方法包括以下步骤：a)提供基本上为无定形SiO<SUB>2</SUB>颗粒形态的熔融氧化硅，其中不超过5％具有大于15mm的直径，b)向熔融氧化硅颗粒中加入水以制备粉浆，c)将粉浆浇注到包含具有与待制备成型体相反形状的中空体的模具中，d)干燥粉浆得到中间体，e)在烧结温度下烧结中间体，在该烧结温度下至少部分熔融氧化硅由无定形变体转变为结晶变体，f)将烧结成型体冷却至300℃以下的温度，从而形成含有结晶SiO<SUB>2</SUB>的显微组织。 | ||
| 申请公布号 | CN101357767A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200810215450.7 | 申请日期 | 2008.01.22 |
| 申请人 | 肖特股份公司 | 发明人 | M·博伦斯;K·冯韦斯特恩哈根;S·梅罗拉;G·瓦泽姆;S·波斯特拉赫 |
| 分类号 | C01B33/18(2006.01) | 主分类号 | C01B33/18(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 1.制备成型体的方法，其包括以下步骤：a)提供基本上为无定形SiO2颗粒形态的熔融氧化硅，其中不超过5％、优选不超过3％、特别优选不超过2％的颗粒具有大于15mm、优选大于10mm，特别优选大于6mm的直径，b)向熔融氧化硅颗粒中加入水以制备粉浆，c)将粉浆浇注到包含具有与待制备成型体相反形状的中空体的模具中，d)干燥粉浆得到中间体，e)在烧结温度下烧结中间体，在该烧结温度下至少部分熔融氧化硅由无定形变体转变为结晶变体，尤其是β-方英石，f)将烧结成型体冷却至300℃以下，优选270℃以下的温度，从而形成含有结晶SiO2的显微组织。 | ||
| 地址 | 德国美因茨 | ||