发明名称 |
在衬底上形成高介电常数的介电层的方法 |
摘要 |
公开了形成高介电常数介电层的方法,该方法包括提供工艺室,包括用于支撑衬底的支座;将包括高介电常数(Hi-K)电介质前体和氧(O<SUB>2</SUB>)氧化剂的第一气体引入工艺室中,以便在衬底上形成高介电常数介电层的第一部分;以及从第一气体的气流切换到包括Hi-K电介质前体和臭氧(O<SUB>3</SUB>)氧化剂的第二气体的气流,以便在第一部分上形成高介电常数介电层的第二部分。在可选的实施例中,可以使用氧作氧化剂在第二部分上形成另一部分。本发明增加至少20%的产量,而不会使得可靠性或漏电变劣,并且不需要额外的设备。 |
申请公布号 |
CN100459063C |
申请公布日期 |
2009.02.04 |
申请号 |
CN200610084458.5 |
申请日期 |
2006.05.24 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
伊贝尼泽·E·艾舒恩;道格拉斯·D·考尔保;库纳尔·瓦伊德;肯尼斯·J·斯坦恩 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01);C23C16/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
张浩 |
主权项 |
1.一种在衬底上形成高介电常数介电层的方法,该方法包括以下步骤:提供工艺室,包括用于支撑衬底的支座;将包括高介电常数电介质前体和氧气氧化剂的第一气体引入工艺室中,以便在衬底上形成高介电常数介电层的第一部分;以及从第一气体的气流切换到包括所述高介电常数电介质前体和臭氧氧化剂的第二气体的气流,以便在第一部分上形成高介电常数介电层的第二部分。 |
地址 |
美国纽约 |