发明名称 用于固态光发射器的工程结构
摘要 一种发光器件工程结构,其包含了多个互相交替的有源层和缓冲材料层,这些层置于产生电场的AC或DC电极之间。这些有源层包含发光中心,例如Ⅳ族的半导体纳米晶体,发光中心位于基质中,例如宽禁带半导体或介电材料(诸如二氧化硅和氮化硅)。缓冲层则包含宽禁带半导体或介电材料,并且在所施加电场的方向上具有一定的厚度,从而使得电子在穿过时获得足够能量以在激发能量激发邻近有源层中的发光中心,从而有效的发射所需波长的光。
申请公布号 CN101361199A 申请公布日期 2009.02.04
申请号 CN200680050151.1 申请日期 2006.12.22
申请人 第四族半导体有限公司 发明人 乔治·奇克;托马斯·马克埃尔维;伊恩·考尔德;E·史蒂文·希尔
分类号 H01L33/00(2006.01);H01L29/12(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 郑小粤
主权项 1.一种发光结构,其包括:第一有源层,其包括一定浓度的发光中心,用于发射第一波长的光;第一介电层,其邻近所述第一有源层;以及一组电极,其用于将电场施加于所述第一有源层和第一介电层;其中,所述第一介电层具有厚度,因而当电子穿过所述第一介电层时从所述电场中获得足够的能量,而通过碰撞电离或碰撞激发以激发能激发在所述第一有源层中的所述发光中心,从而发射所述第一波长的光。
地址 加拿大安大略省