| 发明名称 | 运用金属－硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法，其步骤包括：合成含苯甲基或其衍生物和金属-硫系元素的先驱物(metal-chalcogenide Precursor)，并将此先驱物溶于一溶剂中以制备成先驱物溶液，其中可在先驱物溶液中选择加入一硫属元素或化合物，以调整金属离子与硫系元素的摩尔比。再以特定的涂布方式将此先驱物溶液涂布于基板上，经固化处理后以形成金属-硫系元素化合物薄膜，藉此，取代目前采用的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)制作的非结晶-硅(amorphous Si)主动层薄膜方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100459049C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200610078173.0 | 申请日期 | 2006.04.28 |
| 申请人 | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 欧俊尧;郑华琦;萧名男;庄博全;王朝仁 |
| 分类号 | H01L21/208(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/208(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄健 |
| 主权项 | 1、一种运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法，其特征在于，其步骤包括：合成先驱物，其中该先驱物是含有苯甲基或其衍生物和金属-硫系元素的化合物；将该先驱物溶于溶剂中，以制备成先驱物溶液；利用涂布方式将该先驱物溶液涂布于基板上；及将该基板干燥后进行固化流程以在基板上形成主动层薄膜；其中，所述含有苯甲基或其衍生物和金属-硫系元素的化合物的分子式通式为：(R1，R2，R3，R4，R5-C6H3-CH2-)nh-2iMhXi，其中：R1、R2、R3、R4及R5为各自独立的官能团；M表示带n价正电的金属离子，价数为1至6的整数；X表示硫系元素；h为1至10的整数；及i为0至30的整数。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||