| 发明名称 | 鳍型场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种鳍型场效应晶体管(FinFET)及其制造方法，该FinFET具有鳍，其具有：中心沟道部分；端部分，包括源极和漏极区；和沟道延伸部，从鳍的沟道部分的侧壁延伸。该结构还包括：栅极绝缘体，覆盖该沟道部分和该沟道延伸部；和栅极导体，在该栅极绝缘体上。该沟道延伸部增加该鳍的沟道部分的电容。 | ||
| 申请公布号 | CN100459162C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200510109663.8 | 申请日期 | 2005.09.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 布伦特·A·安德森;安德烈斯·布赖恩特;爱德华·J·诺瓦克 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1、一种鳍型场效应晶体管，包括：鳍，具有中心沟道部分及包括源极和漏极区的端部分；至少一个沟道延伸部，从所述鳍的所述中心沟道部分的至少一侧延伸；栅极绝缘体，位于所述中心沟道部分和所述沟道延伸部上；及栅极导体，位于所述栅极绝缘体上。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||